Конорева О. В. Дія проникаючої радіації на оптичні та електрофізичні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U004539

Облікова картка дисертації

0412U004539.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-10-2012

Спеціалізована вчена рада

Д32.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена вивченню впливу радіаційних дефектів на випромінювальну здатність та електрофізичні характеристики світлодіодів GaP. Джерелом проникаючої радіації служили електронні прискорювачі, ядерний реактор та кобальтова установка. Дослідження оптичних властивостей, проведені на монокристалічних зразках, показали, що при значних дозах як нейтронного, так і електронного опромінення розпочинається деструкція краю основної смуги поглинання та її зсув у бік менших енергій квантів. Зменшення оптичного пропускання супроводжується падінням квантового виходу фотолюмінісценції, причому найчутливішою до радіації є екситонна складова спектру. Основною стадією відновлення інтенсивності рекомбінації при відпалі є область 400-600 С.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах