Кінзерська О. В. Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих перехідними металами

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U004836

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

31-10-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена комплексному дослідженню впливу домішок 3d-елементів на фізичні властивості ZnSe, введених у кристали шляхом дифузії з парової фази. На рівні винаходу запропоновано способи створення шарів ZnSe та ZnO легованих атомами 3d-елементів (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co і Ni). Визначено концентрації, коефіцієнти дифузії та енергетичне положення рівнів 3d-елементів у ZnSe. Виявлено та адекватно пояснено особливості в спектрах фотопровідності, поглинання та люмінесценції зразків ZnSe:Me. Запропоновано метод визначення температури Кюрі в напівмагнітних напівпровідниках.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах