Мухльо М. О. Електролюмінесценція і енергетичний спектр дефектів тонкoплівкових плaнарних і торцевих структур на oснові ZnS:Er,F i ZnS:Cr

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U005279

Облікова картка дисертації

0412U005279.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-06-2012

Спеціалізована вчена рада

Д26.199.02

Анотація

Дисертація присвячена вивченню випромільнювальних характеристик в ближній інфрачервоній області тонкоплівкових електролюмінесцентних структур (ТПЕЛС) планарного і торцевого типів на основі ZnS:Er,F і ZnS:Cr; знаходженню енергетичного спектру дефектів в них; виявленню особливостей електолюмінесценції торцевих ТПЕЛС. Виявлено і з'ясовано вплив на ЕЛ характеристики цих ТПЕЛС технологічних факторів. Показано наявність дефектів гратки, зумовлених легуванням фторидом ербію і хромом, знайдено енергію Їх іонізації і запропонована інтерпретація їх природи. Виявлено особливості випромінювальних характеристик іонів Er і Cr при підвищенні збуджуючої напруги в торцевих хвилеводних ZnS:Er,F і ZnS:Cr ТПЕЛС, які свідчать про наявність стимульованого випромінювання.

Читати повністю

Файли

Aref.pdf

Diser.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах