Дон Н. Л. Вплив структурних перетворень на енергетичні спектри та властивості носіїв заряду у кристалах класуAII3BV2

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U000354

Облікова картка дисертації

0413U000354.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-01-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Об'єкт -процеси структурних перетворень та енергетичні спектри в кристалах AII3BV2; мета - застосування симетрійних методів до вивчення структурних перетворень кристалів AII3BV2 та їхнього впливу на енергетичні зонні спектри та властивості носіїв заряду матеріалів AII3BV2; методи - теорії твердого тіла та квантової механіки, елементи лінійної алгебри та теорії матриць, числові розрахунки; зроблено - вивчення специфічних зв'язків поміж зонними параметрами та особливостями кристалічної структури AII3BV2; галузь використання - напівпровідникова електроніка.

Читати повністю

Файли

aref_Don.doc

dis_Don.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах