Демінський П. В. "Дослідження процесів інтеграції Si/AIIIBV RGB джерел білого світла"

Реалізовані принципово нові інтегральні твердотільні джерела білого світла на гнучкому носії алюміній-поліімід і кремнії. Встановлено прямий зв'язок між атомним складом активної області світловипромінюючих структур GaN, InGaN і середньоквадратичними динамічними зміщеннями їх атомів кристалічних граток. Обґрунтовано доцільність заміни зазвичай вживаних твердих розчинів червоних світлодіодних структур AlInGaP на тверді розчини InxGa1-xN з вмістом індію 30-40% для забезпечення монолітної інтеграції RGB випромінювачів в одному технологічному процесі. Поведені дослідження фоточутливості гетероструктур червоного (0,1 А/Вт), зеленого (0,08 А/Вт) і синього (0,1 А/Вт) світло діодів. Встановлено ступінь спектральної селективності їх чутливості. Реалізовано реверсивний режим включення гетероструктур AlInGaP, для здійснення зворотного зв'язку по інтенсивності випромінювання. Винайдена і запатентована нова твердотільна випромінююча матрична RGB гетероепітаксіальная наноструктура білого світла Si/por.Al2O3(SiO2)/III-N, що дає можливість цілеспрямовано змінювати світлотехнічні параметри інтегрального джерела світла і одержати над'яскраві RGB світлодіодні структури з індексом передачі кольору 90-95 Ra. Створено прикладне програмне забезпечення з графічним інтерфейсом, що дозволяє моделювати розподіл мікрокластерних RGB структур на поверхні структурованих буферних наношарів в чіпі.