Луцький Д. В. Розробка технології вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів Sb1-x Bix

Дисертацію присвячено розробці технології вирощування кристалів твердих розчинів Sb1-xBix, а також дослідженню їх електрофізичних властивостей. У роботі запропоновано фізичну модель розрахунку коефіцієнтів теплопровідності в монокристалах сплавів Sb-Bi постійного складу зі вмістом вісмуту до 20 ат. %. Визначено оптимальні умови росту монокристалів сплавів сурма-вісмут, вирощених без підживлення, та градієнтних монокристалів. У вирощених кристалах твердих розчинів Sb-Bi із вмістом вісмуту до 20 ат. % обміряна щільність дислокацій, що склала від 3,0 106 см-2 до 1,73•107 см-2. Проведено моделювання конвекції в рідкій фазі в умовах, близьких до росту градієнтних монокристалів твердих розчинів сурма-вісмут з підживленням розплаву. Вирощено монокристал сплаву сурма-вісмут зі зміною концентрації вісмуту від 2,5 до 17 ат. % і градієнтом параметрів кристалічної решітки до 0,852 %/см. У зразках монокристалів сплавів Sb-Bi обмірювана концентрація вісмуту, параметри кристалічної решітки, концентрація й рухливість носіїв заряду, питомого електроопору, термо-е.р.с. і коефіцієнти теплопровідності.