Кухтарук С. М. Надвисокочастотні явища, що виникають при взаємодії дрейфуючих електронів з полярними оптичними фононами або з дипольними коливаннями наночастинок.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U004564

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-06-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

У дисертації представлені результати теоретичних досліджень надвисокочастотних явищ, які виникають при взаємодії плазмонів дрейфуючого електронного газу в об'ємних напівпровідниках, квантових ямах чи графені з полярними оптичними фононами. Розглянуто надвисокочастотні властивості плазмонів дрейфуючого двовимірного електронного газу, які взаємодіють з дипольними коливаннями віддалених наночастинок у гібридних системах, які складаються з квантових ям та віддалених наночастинок. Одержані результати можуть бути використані для експериментальних досліджень наноструктур, зокрема, для дослідження генерації, підсилення, детектування та поляризації терагерцового випромінювання.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах