Тягульський С. І. Електролюмінесценція та захоплення заряду в структурах SiO2 - Si з нанокластерами рідкісноземельних елементів.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U004583

Облікова картка дисертації

0413U004583.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-05-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню процесів кластеризації рідкісноземельної домішки, збудження електролюмінесценції, а також процесів генерації та накопичення заряду та гасіння електролюмінесценції у світловипромінювальних структурах типу метал-двоокис кремнію-кремній, шари діелектрику у яких імплантовані іонами рідкісноземельних елементів Ce+, Eu+, Gd+, Tb+, Er+ та Tm+. Післяімплантаційний відпал здійснювався при температурах 800 °С - 1100 °С. Зокрема, у дисертації представлено дані з вивчення впливу процесів кластеризації на спектральні характеристики світловипромінювальних структур та досліджено взаємозв'язок процесів генерації та накопичення заряду в шарах двоокису кремнію впродовж високопольової інжекції гарячих електронів з процесом деградації електролюмінесценції рідкісноземельної домішки, а також побудовано відповідні моделі, що пояснюють цей процес.

Читати повністю

Файли

Disert.doc

aref.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах