Сичікова Я. О. Морфологічні властивості наноструктур, сформованих на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0413U005382

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-09-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних засад отримання поруватого InP методом електрохімічного травлення фосфіду індію, вивченню люмінесцентних, структурних та морфологічних властивостей поруватих шарів InP. Отримано шари фосфіду індію n-типу з розміром пор (10 - 40) нм (для n-InP (100)) та (70 - 150) нм (для n-InP (111)).Вперше представлено методику одержання поруватого р-InP методом фотоелектрохімічного травлення. Отримано зразки por-InPр-типу з розміром пор (30 - 40) нм.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах