Лоцько О. П. Трансформація домішково-дефектних комплексів у монокристалах СdTe:Cl під дією технологічних обробок

Удосконалено технологію вирощування монокристалів СdTe і СdZnTe та оптимізовано технологічні процеси виготовлення детекторів X- і гама-випромінювань. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено процеси трансформації домішково-дефектних комплексів у легованих хлором високоомних монокристалах телуриду кадмію під дією різних технологічних обробок: НВЧ-опромінення, термічного відпалу, гамма-опромінення. Вперше встановлено, що в результаті НВЧ-обробок на частотах 2,45 ГГц та 24 ГГц монокристалів СdTe:Cl відбувається активація центрів ClTe, що фіксується істотним збільшенням інтенсивності лінії (D0, X) в спектрі ФЛ. При НВЧ-обробках зразків тривалістю 30 с виявлений ефект малих доз, який проявляється в значному збільшенні інтегральної інтенсивності екситонної ФЛ. Виявлено радіаційно-стимульоване упорядкування приповерхневої області монокристалів при дозах D = 8 кГр для CdTe:Cl з NCl = 5*10^17 см^(-3) і D = 20 кГр для CdTe:Cl з NCl = 5*10^19 см^(-3) відповідно. Під впливом термічних обробок монокристалів CdТe:Cl (NCl = 5*10^19 см^(-3)) при температурах нижчих 180 °С суттєвих змін екситонної ФЛ не спостерігається, що свідчить про термічну стійкість матеріалу при T < 180 °С.