Мозолюк М. Ю. Фазові рівноваги та властивості фаз у системах Тl2X–BIIX–DIVX2 і ТlCIIIX2–DIVX2 (BII – Hg, Pb; CIII – Ga, In; DIV – Si, Ge, Sn; X – S, Se)

Методами фізико-хімічного аналізу вперше досліджені та побудовані ізотермічні для Tl2X–ВІІX–DIVX2 при 520 К та політермічні для Тl2DIVX3–ВІІX і ТlCIIIX2–DIVX2 перерізи. Методом порошку вперше вивчено кристалічну структуру сполук: Tl2HgSiSe4, Tl2HgGeSe4, Tl2HgSnХ4, Tl2PbSiS4, Tl0,5Pb1,75GeS4. Методом монокристалу розшифровано кристалічну структуру тетрарної сполуки TlInGe3S8. Розроблено близькі до оптимальних технологічні умови вирощування кристалів твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0–0,5) та Tl1-xIn1-xSnxSе2 (x=0–0,25). Досліджено їх оптичні та фотоелектричні властивості. Передбачено їх використання як матеріалів для нелінійно-оптичного перетворення частот у ІЧ області спектру та у фотонних ґратках.