Данилюк Г. Д. Ефекти низькорозмірності в електронних властивостях халькогенідів талію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0414U001613

Облікова картка дисертації

0414U001613.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-03-2014

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Встановлено, що форма краю фундаментального поглинання (КФП) кристалічного Tl2S відповідає правилу Урбаха. Експериментально доведено, що експоненціальний характер КФП зберігається за умови багатократних і тривалих дій одновісного тиску на зразки Tl2S. Виконані ab initio розрахунки енергетичної зонної структури Tl2S у межах теорії функціонала густини. На підставі спільного аналізу результатів оптичних досліджень кристалічного Tl2S у ділянці КФП і теоретичних розрахунків зонної структури запропоновано фізичний механізм формування КФП у кристалі шаруватої структури Tl2S.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах