Слободзян Д. П. Еволюція структурних дефектів у приповерхневому шарі бар'єрних структур на основі p-Si, стимульована дією зовнішніх факторів
English versionДисертація на здобуття ступеня кандидата наук
Державний реєстраційний номер
0414U001614
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
12-03-2014
Спеціалізована вчена рада
Д 35.051.09
Львівський національний університет імені Івана Франка
Анотація
Файли
Схожі дисертації
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0521U102010
Борковська Людмила Володимирівна
Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5
0521U101814
Коротєєв Вадим Вячеславович
Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах