Кудринський З. Р. Формування та властивості наноструктур на основі шаруватих кристалів селенідів індію і галію

Дисертація присвячена дослідженню особливостей формування та фізичних властивостей наноструктур, створених на основі шаруватих кристалів GaSe, InSe та In2Se3. Вперше досліджено прояв квантово-розмірних ефектів в механічно відлущених наношарах InSe. Вивчено морфологію та фазовий склад наноструктур, сформованих на ван-дер-ваальсовій поверхні (0001) GaSe у результаті відпалу в парах сірки. Вперше отримано фоточутливі гетеропереходи n-CdO-p-InSe(GaSe) і досліджено їх властивості. Досліджено процеси акумуляції і переносу носіїв заряду в гібридних структурах, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями KNO3. Досліджено вплив зовнішнього магнітного поля на процес електрохімічної інтеркаляції селенідів індію кобальтом. Виявлено принципову можливість інтеркаляції кристалів InSe і GaSe нітратом рубідію. Встановлено, що нанокомпозит GaSe<RbNO3> характеризується енергонакопичувальними властивостями.