Мостовий А. І. Розробка гетероструктур на основі тонких плівок TiO2 з домішками 3d-елементів для електронної техніки

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0414U004410

Облікова картка дисертації

0414U004410.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

30-09-2014

Спеціалізована вчена рада

К 76.051.09

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Дисертаційна робота присвячена розробці нових гетероструктур на основі тонких плівок TiO2 з домішками 3d-елементів для електронної техніки із заданими та відтворюваними електричними і оптичними властивостями, а також визначенню домінуючих механізмів струмопереносу, бар'єрних параметрів та фотоелектричних властивостей поверхнево-бар'єрних гетероструктур. На основі тонких плівок легованого та нелегованого діоксиду титану виготовлено ряд нових та недосліджених раніше напівпровідникових гетеропереходів: TiO2/Si, TiO2:Mn/Si, TiO2:Cr2O3/Si, TiO2:Mn/CdTe.

Читати повністю

Файли

aref.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах