Когдась М. Г. Розробка методів та обладнання для контролю структурно-геометричної досконалості пластин арсеніду галію

Дисертацію присвячено питанням створення методів та обладнання для контролю структурно-геометричної досконалості пластин GaAs. Розроблено метод і установку "Микрон-1" для контролю складних форм деформацій пластин GaAs із застосуванням методу інтерференції та відеосистеми, що дозволило зменшити похибку та автоматизувати процес вимірювань. Вперше показано, що пластина GaAs в площині (100) є більш жорсткою по напрямку <011> <001> і в порівнянні з напрямком <010>, через діючі в пластині головні напруження, а також внаслідок надзвичайно малого коефіцієнта Пуассона. Визначено, що розподіл внутрішніх напружень у напівізолюючому GaAs, який застосовується для виготовлення оптичних лінз, має острівцевий характер, розподіляється в кристалографічних напрямках [001] і [010]. Встановлено, що для пластин GaAs, орієнтованих у площині (100), жорсткість пластини визначається модулем Юнга і коефіцієнтом Пуассона. Ці пластини в напрямку [001] мають жорсткість на 26 % нижче, ніж у напрямку [011]. Таким чином, анізотропія пружних властивостей впливає на величину й анізотропію вигину. Встановлено, що при обробці пластин GaAs великого діаметру з орієнтацією (100) виникає складний вигин, епюри якого мають екстремуми в одному з кристалографічних напрямків <001>. Сумарний річний економічний ефект за даними акта впровадження складає 57 тис. грн.