Хандожко В. О. Розробка сенсорів на основі ядерного квадрупольного резонансу в моноселенідах галію та індію

У дисертації представлені результати дослідження залежності параметрів ЯКР у сполуках InSe і GaSe від досконалості кристалічної структури, температури, тиску і магнітного поля. Встановлено лінійну залежність розщеплення ліній ЯКР від індукції магнітного поля з коефіцієнтами 1,95 кГц / Гс і 4,45 кГц / Гс для ядер 69Ga і 115In, відповідно. Виміряна залежність спектра ЯКР від одновісного тиску на шаруваті кристали InSe і GaSe. Досліджена температурна залежність частоти резонансу ЯКР в InSe і GaSe в діапазоні 77 - 400К. Знайдено, що в інтервалі температур 273 - 400К і області частот 19 - 21 МГц дана залежність є практично лінійною з крутизною перетворення 2,35 кГц/град для ядер 115In і 1,54 кГц/град для ядер 69Ga.