Солован М. М. Розробка гетеропереходів на основі тонких плівок нітриду титану для електроніки та фотовольтаїки

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0414U005192

Облікова картка дисертації

0414U005192.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

21-10-2014

Спеціалізована вчена рада

К 76.051.09

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Дисертацію присвячено розробці гетероструктур на основі тонких плівок ТіN та дослідженню домінуючих механізмів струмопереносу, бар'єрних параметрів та фотоелектричних властивостей з метою встановлення можливості їхнього використання у приладах електроніки і фотовольтаїки. Комплексний аналіз електричних і фотоелектричних властивостей виготовлених гетеропереходів свідчить про перспективність їх використання для виготовлення напівпровідникових приладів електроніки, оптоелектроніки і фотовольтаїки.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах