Федоров В. В. Спектральні властивості одновимірних фотонних кристалів з трьома півхвильовими резонаторами

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U001672

Облікова картка дисертації

0415U001672.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-03-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

В дисертаційній роботі встановлено структурні закономірності в одновимірних фотонних кристалах з трьома півхвильовими дефектами, що характеризуються виникненням окремих дозволених фотонних зон в фотонній забороненій зоні. Запропоновано механізми керування зонною структурою та просторово-спектральним розподілом електричного поля досліджуваних фотонних структур, що сприятиме розробці ефективних світловипромінюючих елементів оптоелектронних систем. Розраховано максимально досяжні значення негативної дисперсії групової затримки для різних типів дисперсійних дзеркал, що використовуються для розв'язання проблеми компенсації дисперсії; досліджено залежність дисперсії групової затримки від товщини покриття та властивостей матеріалів.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах