Виноградов А. О. Механізми струмопереносу в омічних контактах до кремнієвих мікрохвильових діодів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U001766

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

08-04-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.01

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню механізмів струмопереносу в омічних контактах Au-Ti-Pd2Si-n-Si з великою густиною структурних дефектів на межі контактоутворення і дослідженню зростаючої температурної залежності питомого контактного опору з підвищенням температури вимірювання, а також омічних контактів Au-Ti-Pd2Si-n+-n-Si. Така залежність пояснюється механізмом протікання струму через металеві шунти, суміщені з дислокаціями, або механізмом формування омічного контакту до кремнію, зумовленим наявністю на межі поділу n+-n-Si збагачуючого вигину зон. Визначено технологічні фактори, котрі зумовлюють формування високої густини дислокацій в приконтактній області n-Si, що призводить до виникнення металевої провідності в омічному контакті.

Файли

Схожі дисертації