Шевчик В. В. Вплив впровадження кобальту і водню на властивості шаруватих кристалів InSe та GaSe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U002879

Облікова картка дисертації

0415U002879.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-05-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Розроблено методику отримання феромагнітних напівпровідникових матеріалів на основі шаруватих кристалів та вперше досліджено прояв феромагнітних властивостей кристалів Co0.15GaSe. Вивчено вплив впровадження кобальту на структурні особливості кристалів GaSe, їх електричні властивості та закономірності зміни електропровідності з ростом концентрації кобальту. Проведено дослідження баричної і тензочутливості монокристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалатів. Встановлено, що для шаруватих кристалів переважаючим є ефект динамічної чутливості. Методом пульверизації з наступним піролізом були отримані гетеропе-реходи n-SnO2/p-GaSe та n-SnO2/p-Co0.15GaSe. Визначеніпараметри гетероструктур та домінуючі механізми струмопереносу через гетеро-перехід.

Читати повністю

Файли

Dis.doc

Dis.doc

аref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах