Лис Р. М. Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U004401

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

01-07-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена дослідженню процесів перебудови дефектів приповерхневого шару кристалів p-Si, стимульованих дією Х-опромінення та пружного механічного навантаження. Вперше виявлено ефект "радіаційної пам'яті" в одновісно деформованих кристалах. Визначено глибини залягання енергетичних рівнів структурних дефектів, перерізи захоплення носіїв заряду та їхні радіаційно-стимульовані зміни. На поверхні (111) експериментальних зразків p-Si для сонячної енергетики вперше виявлено формування агрегатів домішково-вакансійних комплексів та міжвузлових атомів у вигляді однаково орієнтованих чотирикутних пірамід розміром від 1 до 10 мкм.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах