Мілованов Ю. С. Електричні та люмінесцентні властивості композитних структур на основі пористого кремнію та оксиду титану.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U004816

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-09-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Запропоновано технологію виготовлення таблетованих композитних структур нанокремнію в дисперсних SiO2 та ТіО2 матрицях, на базі яких можливо створення ефективних сенсорів вологості. Вперше обґрунтовано метод графоаналітичної обробки часових залежностей імпедансу в умовах динамічної адсорбції/десорбції парів спирту, води і визначені швидкості зміни параметрів композитних структур на основі 1) мікрокристалічного кремнію, 2) мікрокристалічного та пористого кремнію в умовах динамічного адсорбційно-десорбційного впливу зовнішніх реагентів. Вперше показано, що глибокі пастки акцепторного типу в мезопористих шарах Si можуть бути повністю виключені з процесу релаксації при адсорбції молекул кисню акцепторного типу. Вперше запропоновано технологію нанесення моношарів LaF3 на мезопористий кремній методом послідовного іонного нашаровування. Показано, що формування навіть декількох моношарів LaF3 на поверхні мезопористого кремнію веде до формування люмінесцентного шару ПК і створенню пасивуючого та захисного шару на поверхні ПК. Розроблено техніку осадження наночасток сульфіду кадмію в матрицю ПК. Визначені механізми струмопроходження у різних газових середовищах гетероструктур метал - ТіО2 -n,рSі, сформованих методами золь-гель технології, і запропоновано використання даних гетероструктур у якості ефективних газових сенсорів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах