Кашуба О. З. Вплив одновісних тисків на оптико-електронні властивості кристалів типу ABSO4

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U005903

Облікова картка дисертації

0415U005903.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-10-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню впливу одновісного тиску на показники заломлення та двопроменезаломлення кристалів групи АВSO4. Встановлено, що збільшення показника заломлення під впливом одновісного тиску, передусім, зумовлено зміною параметрів осциляторів за рахунок зміни ширини забороненої зони Eg і довгохвильового зміщення максимуму смуги УФ поглинання та густини ефективних осциляторів кристалів.

Читати повністю

Файли

aref.doc

Кашуба-дисер--ЛІТЕРАТУРА.pdf

Кашуба-дисер--РОЗДІЛ 1.pdf

Кашуба-дисер--РОЗДІЛ 2.pdf

Кашуба-дисер--РОЗДІЛ 3.pdf

Кашуба-дисер--РОЗДІЛ 4.pdf

Кашуба-дисер--РОЗДІЛ 5.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах