Стрєбєжєв В. В. Оптичні і фотоелектричні елементи інфрачервоного діапазону на основі монокристалів і шарів In4Se3, In4Te3 та CdSb

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0415U006205

Облікова картка дисертації

0415U006205.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

27-10-2015

Спеціалізована вчена рада

К 76.051.09

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Дисертація присвячена розробці гетероперехідних фоточутливих елементів і інтерференційних багатошарових тонкоплівкових фільтрів, сформованих на основі базових напівпровідників In4Se3, In4Te3 та CdSb і призначених для функціонування в ІЧ-діапазоні. Розроблено методику нарощування шарів In4Se3, In4Te3 та CdSb методом електрорідинної епітаксії. Проведена модифікація структурно-фазового стану епітаксійних шарів імпульсним випромінюванням мілісекундного лазера. Досліджена структура і хімічний склад епітаксійних шарів і плівок та основні характеристики і параметри гетеропереходів CdSb - Cd1-xZnxSb, CdSb - In4Se3, CdSb - In4Тe3, In4Se3 - Ge, In4Se3 - In4(Se3)1-хТe3x.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах