Андросюк М. С. Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру

Дисертація присвячена питанням удосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого GaAs великого діаметру. Визначено, що при діаметрі GaAs 100 мм максимальні значення густини дислокацій досягають не більш ніж 2,3*10^5 см^(-2) і мають острівцевий характер. Удосконалено методи розрахунків полів термопружних напружень для вирощування кристалів в напрямку (100), за даним методом розроблено конструкцію теплового вузла, що дозволяє вирощувати монокристали напівізолюючого GaAs, легованого Cr, з густиною дислокацій 1,15-2,3*10^5 см^(-2). Розроблено методи визначення оптичної однорідності напівізолюючого GaAs з різними електричними властивостями. За запропонованою методикою проведені дослідження оптичних характеристик пластин GaAs з орієнтацією (100) і діаметром 100 мм, які показали наявність у площині пластини оптичних аномалій у вигляді локальних острівців. Експериментально досліджена дислокаційна структура монокристалів GaAs (діаметром до 100 мм), вирощених методом Чохральського, і встановлено, що високотемпературний відпал призводить до зниження густини дислокацій в 1,2-1,3 рази.