Сингаївська Г. І. Сильнопольовий та надвисокочастотний транспорт носіїв заряду в напівпровідникових структурах на основі GaN: моделювання методом Монте-Карло

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U000076

Облікова картка дисертації

0416U000076.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-12-2015

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

В дисертації представлені результати теоретичних досліджень кінетичних явищ, які виникають в епітаксійних GaN структурах з низькою концентрацією носіїв в умовах сильно нерівноважного розподілу носіїв заряду. Визначені умови формування режиму стримінгу і виникнення від'ємної диференціальної провідності, аналізується вплив магнітного поля на ці ефекти. На основі методу Монте-Карло запропоновано оригінальний метод розрахунку динамічної диференціальної провідності, яка характеризує відгук електронної підсистеми на високочастотне просторово-періодичне збурення.

Читати повністю

Файли

Aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах