Петренко І. В. Вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні та оптичні властивості GaP та AlGaAs світлодіодів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U003520

Облікова картка дисертації

0416U003520.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

30-05-2016

Спеціалізована вчена рада

К76.051.09

Анотація

Дисертацію присвячено дослідженню впливу дефектів радіаційного походження на електрофізичні процеси в кристалах і світлодіодах на основі GaP та трикомпонентних сполук AlGaAs. Опромінення ?-квантами Со60 світлодіодів GaP приводять до поступового гасіння свічення. При опроміненні ?-частинками в світлодіодах GaP виникає ефект малих доз, котрий проявляється у зростанні ємності p-n-переходу, спаданні величини потенціального бар'єру між областями, а також величини диференційного опору ВАХ. Опромінення діодів електронами потоком Ф = 5?1016 см-2 приводить до повного гасіння свічення мікроплазм.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах