Кушлик М. О. Деформаційні процеси та дислокаційна електролюмінесценція в приповерхневих шарах кристалів p-Si

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U004556

Облікова картка дисертації

0416U004556.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-10-2016

Спеціалізована вчена рада

Д35.051.09

Анотація

Робота присвячена встановленню механізмів випромінювальної рекомбінації носіїв заряду за участі центрів дислокаційної люмінесценції, а також природи даних центрів та процесів їх перебудови за дії високотемпературного відпалу, зовнішньої пружної та локальної деформацій. Спроектовано та виготовлено стабільні світловипромінюючі структури на основі кристалів р-Si в широкому температурному діапазоні та порівняно високою енергетичною ефективністю випромінювання. Запропоновані фізичні механізми перебудови дефектної структури приповерхневих шарів даних кристалів, наслідком яких є підвищення ефективності люмінесценції.

Читати повністю

Файли

aref.pdf

dis.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах