Грипа А. С. Радіаційно-стимульовані процеси в кремнієвих транзисторних термосенсорах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U005155

Облікова картка дисертації

0416U005155.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

01-07-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена дослідженню та встановленню закономірностей змін основних електрофізичних характеристик кремнієвих транзисторних термосенсорів за дії радіаційного випромінювання, температури і релаксаційних процесів, а також розробці рекомендацій щодо підвищення їхньої радіаційної стійкості. Показано, що на початковій стадії опромінення поверхнева складова радіаційно-стимульованих змін домінує над об'ємною, коли переважаючими є процеси радіаційно-стимульованого "заліковування" наявних структурних дефектів в області p-n-переходу. Показано, що наявність вбудованого і прикладеного електричних полів сприяє просторовому розділенню носіїв заряду. Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості транзисторних термосенсорів.

Читати повністю

Файли

Avtoreferat_Hrypa.pdf

Dissertation_Hrypa.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах