Новосад О. В. Електричні, фотоелектричні та оптичні властивості монокристалів Cu1-xZnxInSe2 та Cu1-xZnxInS2 та бар'єрних структур на їх основі.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0416U005461

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

05-10-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

У дисертації викладено результати досліджень електричних, термоелектричних, гальваномагнітних, фотоелектричних та оптичних властивостей монокристалічних твердих розчинів Cu1-xZnxInSe2 та Cu1-xZnxInS2, а також впливу на їх властивості точкових дефектів. Показано, що монокристали Cu1-xZnxInSe2 та Cu1-xZnxInS2, можуть виконувати функції поглинаючого шару фотоелектроперетворювачів. Встановлено, що в усіх монокристалах систем Cu1-xZnxInSe2 та CuInS2-ZnIn2S4 та поверхнево-бар'єрних структурах на їх основі, плавна зміна властивостей обумовлюється зміною вмісту в монокристалах атомів Zn.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах