Созанський М. А. Синтез плівок цинк сульфіду і цинк селеніду та структури на їх основі

Методом хімічного осадження синтезовано тонкі напівпровідникові плівки цинк сульфіду і цинк селеніду з водних розчинів цинк-вмісної солі. Структурні, оптичні, морфологічні властивості, товщина плівок ZnS і ZnSe досліджено рентгенівською дифракцією, оптичною спектроскопією, скануючою електронною та атомно-силовою мікроскопією, профілометрією. Встановлено, що метод хімічного осадження дозволяє одержувати напівпровідникові тонкі суцільні плівки цинк сульфіду і цинк селеніду стехіометричного складу на підкладках великої площі за низьких температур. Використано метод інверсійної вольтамперометрії для визначення маси цинку у напівпровідникових тонких плівках ZnS і ZnSe та встановлення оптимальних умов їх синтезу. Кінетику швидкості реакцій синтезу ZnS і ZnSe досліджено методом молекулярно-абсорбційного аналізу та визначено ефективні енергії активації. Створено плівкові тверді розчини і композиційні структури на основі хімічно осаджених плівок цинк сульфіду та цинк селеніду. Досліджено фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості одержаних плівкових твердих розчинів і структур та показано, що використання хімічного осадження дає змогу значно спростити і здешевити процес їхнього виготовлення, що може стати основою для масового виробництва фоточутливих елементів. Проведено квантово-хімічне моделювання процесу синтезу цинк сульфіду та цинк селеніду з різними комплексоутворюючими реагентами, яке дозволило встановити хімізм процесу осадження плівок.