Замуруєва О. В. Одержання та фізичні властивості напівпровідників у системах Ag(Tl) - In - Si(Ge) - Se2

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U001051

Облікова картка дисертації

0417U001051.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-11-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню впливу катіонного заміщення на структурні, оптичні, електричні та фотоелектричні властивості напівпровідників у системах Ag(Tl) - In - Si(Ge) - Se2. У рамках наукової роботи розроблено умови синтезу та вирощування кристалів складних халькогенідних сполук Ag2In2Si(Ge)Se6 й Tl1 xIn1 xSi(Ge)xSe2 (x = 0,1; 0,2). Проведено рентгеноструктурні дослідження, РФ та РЕ спектрів. Досліджено залежність зміни ширини забороненої зони і кінетику фотопровідності. Запропонована якісна модель перезарядки дефектних центрів при зміні температури в кристалах.

Читати повністю

Файли

Dis.doc

aref.doc

autoreferat--Автореферат Колiнько.doc

Дис Колінько.doc

Дис Колінько.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах