Пазюк Р. І. Оптичні та електричні властивості надґраток квантових точок на основі напівпровідників АIIIВV

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U004521

Облікова картка дисертації

0417U004521.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-09-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Для гетеросистем GaAs/AlxGa1-xAs, InAs/GaxIn1-xAs установлено залежність коефіцієнта міжпідзонного поглинання електромагнітної хвилі від частоти, розмірів квантових точок, відстаней між ними. Показано, що коефіцієнт поглинання характеризується двома яскраво вираженими максимумами на краях зони поглинання 2.96-4.45 мкм для надґратки GaAs/AlxGa1-xAs і 4.77-6.56 мкм - для надґратки InAs/GaxIn1-xAs. Доведено, що для 2D- та 1D-надґраток півширина смуг поглинання суттєво залежить від кута між вектором поляризації падаючої електромагнітної хвилі та основними векто-рами трансляції. При лінійній поляризації хвилі, яка падає перпендикулярно до 1D-ланцюжків, ширина смуги поглинання різко зростає (в рази) у порівнянні з паралельно орієн-тованим лінійно поляризованим світлом.

Читати повністю

Файли

Dis.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах