Баштова А. І. Моделювання просторової організації точкових дефектів в опромінюваних системах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0418U001989

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.02 - Теоретична фізика

04-07-2018

Спеціалізована вчена рада

К 55.250.01

Інститут прикладної фізики НАН України

Анотація

Установлено умови проходження процесів структуроутворення точкових дефектів унаслідок дії опромінення і виникнення деформаційних нестійкостей при врахуванні стохастичної генерації дефектів. Виявлено динамічні режими росту кластерів вакансійного типу та дислокаційних петель в чистих металах на прикладі нікелю. У рамках розвинених підходів показано, що характерний розмір вакансійних кластерів складає величину декількох нанометрів залежно від швидкості пошкоджень та температури опромінення. Виявлено умови та особливості проходження процесів відбору структур при опроміненні тонких металевих плівок. Установлено, що стохастичний процес генерації дефектів не приводить до порушення автомодельного режиму росту пор, збільшуючи лише розмір пop. Виявлено, що при зростанні інтенсивності дислокацій відбувається кросовер динамічних режимів росту розмірів йор зі зменшенням динамічного показника від 1/2 до 1/3. Розглянуто процеси перерозподілу нерівноважних вакансій при спінодальному розпаді опромінюваного бінарного твердого розчину. Виявлено, що зі збільшенням швидкості дефектоутворення процеси спінодального розпаду замінюються процесами формування просторових вакансійних структур. Установлено, що формування кластерів вакансій супроводжується відбором структур. Досліджено процеси фазового розшарування за дислокаційним механізмом в опромінюваних бінарних системах з балістичним потоком атомового перемішування. Показано, що дислокаційний механізм уповільнює процес упорядкування. Установлено, що просторові кореляції шуму балістичного потоку стимулюють сегрегацію ядер дислокацій в околі міжфазних границь.

Файли

Схожі дисертації