Пархоменко Г. П. Тонкі плівки NіO та гетеропереходи на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0419U001056

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-12-2018

Спеціалізована вчена рада

Д76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена встановленню відтворюваних умов виготовлення тонких плівок оксиду нікелю та гетеропереходів на їх основі, дослідженню їх структурних, електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей при різних умовах, розширенню можливостей їх застосування та покращення їх параметрів. В широкому діапазоні температур 77-290 К проведено дослідження явищ переносу в тонких плівок оксиду нікелю, напилених при різних температурах підкладки 373 К та 523 К та їх оптичних властивостей. Показано вплив обробки поверхні підкладок Si на електричні властивості гетероструктур p-NiO/n-Si. Досліджено їх електричні та фотоелектричні властивості та встановлено домінуючі механізми струмопереносу. Визначено електричні параментри гетеропереходів p-NiO/n-CdTe, p-NiO/p-CdTe, p-NiO/p-Cd1-xZnxTe, p-NiO/n-Cd1-xZnxTe та p-NiO/n-SiC. Досліджено темнові вольт-амперні характеристики гетеропереходів в широкому діапазоні температур.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах