Холод О. Г. Удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників

Дисертаційна робота присвячена розв’язанню актуального наукового зав-дання удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників. Для досягнення поставленої мети удосконалено математичну модель, яка визначає залежність загального опору системи «металевий контакт – поруватий шар арсеніду галію – підкладка арсеніду галію» від поруватості шару. Встановлено, що контактний опір металу до поруватого арсеніду галію визначається висотою бар’єру Шотткі. Зміна поруватості шару por-GaAs спричиняє зміну контактного опору. Показано, що загальний опір системи «метал –por-GaAs» можна розглядати як систему паралельно-послідовно з’єднаних опорів. В роботі удосконалено метод отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs, який відрізняється застосуванням імпульсного струму. Для забезпечення вимірювання параметрів контактів із поруватим шаром GaAs розроблено автоматизовану систему визначення параметрів контактів з бар’єром Шотткі завдяки вимірюванню вольт-амперних характеристик, що дозволяє визначати одночасно пряму й зворотну гілки вольт-амперних характеристик. Встановлено експериментальну залежність між морфологією поруватого шару і електричними параметрами контакту Шотткі та уточнено наукові дані про залежність висоти бар’єру Шотткі від товщини поруватого шару. На підставі запропонованих в роботі технологій розроблено датчик водню на базі поруватого GaAs з контактом Шотткі, який працює за кімнатної температури.