Бабиченко О. Ю. Фотоелектричні властивості структур кристалічного кремнію з гідрогенізованими нанорозмірними вкрапленнями

Об'єкт - явища генерації рухливих носіїв заряду квантами світла в монокристалічному кремнії з аморфними нановкрапленнями. Мета - отримання властивостей гетероморфних напівпровідникових матеріалів на основі кристалічного та аморфного кремнію різного виду та ступеня аморфізації, суттєвих з точки зору застосування їх у фотоелектричних перетворювачах для сонячної енергетики. Методи - метод кінетичного рівняння з модифікацією функції розподілу щільності електронних станів та спектру оптичного поглинання з урахуванням ступеня розупорядкованості аморфного кремнію; метод схем заміщення для визначення фотопровідності монокристалічного кремнію при різних ступенях розупорядкованості аморфних включень різної геометричної форми. Результати – теоретичним шляхом отримано розподіл щільності електронних станів та спектр нормованої узагальненої функції розподілу щільності станів в гетероморфному кремнії з урахуванням ступеня розупорядкованості структури, розмірів та морфології включень; одержано характеристики фотопровідності гетероструктури аморфного гідрогенізованого та монокристалічного кремнію як функції розмірів та морфології аморфних включень в кристалічному субстраті; подальший розвиток методів розрахунку впливу аморфних неоднорідностей на фотопровідність кристалічного кремнію в залежності від фізичних властивостей та геометрії цих неоднорідностей. Галузь застосування – сонячна енергетика, оптоелектроніка