Субота Ю. В. Методы лазерного сканирующего контроля дефектности поверхности кремниевых пластин

Объект исследования: Микродефекты и модельные объекты в виде латексных шариков на поверхности кремниевых пластин. Цель исследования: Решение комплекса научно-технических проблем по созданию методов лазерного сканирующего контроля поверхности полупроводниковых пластин ивнедрению их в промышленный технологический процесс. Методы исследования и аппаратура: Измерение индикатрис рассеивания света, измерение интегрального коэффициента рассеивания света, электронная микроскопия. Теоретические результаты и новизна: Показано, что зависимость интегрального сечения рассеивания света латексных шариков на поверхности полупроводника от диаметра шарика представляет собой кривую с минимумом в области 065-0,7 мкм. Использование соотношения интенсивностей рассеянного микрочастицами света при осветлении их двумя лучами с разными длинами волн. Практические результаты и новизна: Установлено, что критерием состояния технологического оборудования с точки зрения уменьшения внесенной дефекности с положения максимума на кривой статистического распределения количества микродефектов на пластинах. Предмет и степень внедрения: Внедрено установки контроля кремниевых пластин в ВО "Квазар" "Киев/ и ПО "Элекс" /Александров/. Эффективность внедрения: Суммарный экономический эффект составляет 160,9 тыс. р. в год. Сфера (область) использования: Контроль состояния поверхности полупроводниковых пластин в ПО "Квазар", "Сатурн", "ОРион", "Родон" и др.