Юнгас Т. . Условия возникновения и особенности построения кристаллической фазы в аморфных пленках германия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000815

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.04 - Фізична електроніка

18-02-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.04.01

Анотація

Объект исследования: Частицы кристаллической фазы в аморфных пленках германия. Цель исследования: Исследование процессов кристаллизации аморфных пленок германия и особенностей построения частиц кристаллической фазы в них. Методы исследования и аппаратура: Просвечивающая электронная микроскопия высокой разделяющей способности и электронная дифракция. Практические результаты и новизна: Определены условия начала кристаллизации аморфных пленок германия, преимущественную ориентацию кристаллов в них, и направления их возростания, основные дефекты упаковки. Установлено существование в них осей симметрии пятого порядка, что не присуще монокристаллическому состоянию. Сфера (область) использования: Физика перхода от аморфного состояния к кристаллическому, установление аморфных преобразователей солнечной энергии в электрическую.

Схожі дисертації