Шутов С. В. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках

Объект исследования: Тонкие слои арсенида галлия на подложках их стекла и кремния. Цель исследования: Получение и исследование свойств монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках из монокристаллических и аморфных материалов. Методы исследования и аппаратура: Метод фотолюминесценции, метод поверхностных акустических волн, поляризационно-оптический метод, рентгеноспектральный анализ. Теоретические результаты и новизна: Изучены и установлены основные механизмы кристаллизации гомоэпитаксиальных слоев арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций при выращивании в процессе зонной перекристаллизации гравитационным полем. Исследованы основные механизмы кристаллизации графоэпитаксиальных слоев GaHs. Установлены основные механизмы дефектообразования в GaHs при термокомпр. Практические результаты и новизна: Разработаны методики и технологические регламенты получения монокристаллических слоев арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций, гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремнии, монокристаллических слоев арсенида галлия на стекле методом термокомпрессии. Сфера (область) использования: Технология полупроводников и полупроводниковых приборов.