Кулюткина Т. Ф. Получение толстых и субмикронных слоев с ограниченного объема раствора-расплава

Объект исследования: Процессы выращивания эпитаксиальных слоев на сонове арсенида галия с раствора-расплава. Цель исследования: Исследование процесса получения субмикронных пластов (слоев) с ограниченного расплава-раствора, разработать методику и оборудование для их изготовления. Методы исследования и аппаратура: Металлографический, электро- и фотолюминесценция, электрофизические (Эффект Холла и электропроводность). Теоретические результаты и новизна: Впервые сделано теоретический анализ процессов тепло- и массопереноса при выращивании эпитаксиальных слоев на кладках, которые оборачиваются и при импульсном охлаждении подкладок. Практические результаты и новизна: Разработаны конструкции устройств и методы выращивания толстых(слоев) на подкладках, которые оборачиваются, субмикронных слоев при импульсном охлаждении структур в беспрерывном процессе и эпитаксиальных пластин отделенных от подкладок. Предмет и степень внедрения: Передано конструкторскую и техническую документацию на изготовление 5 разработанных устройств для выращивания эпитаксальных слоев. Сфера (область) использования: Технология изготовления эпитаксальных структур с толстыми и субмикронными шарами.