Нгуен С. Н. Процессы эпитаксального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U001005

Облікова картка дисертації

0494U001005.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

17-05-1994

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Эпитаксальные пленки. Цель исследования: Изучение влияния технологических факторов. Методы исследования и аппаратура: Электронная и оптическая микроскопия, эффект Холла, электропроводность. Теоретические результаты и новизна: Установлены зависимости качества пленок от технологических условий. Практические результаты и новизна: Некоторые результаты используются на практике. Сфера (область) использования: Технологические предприятия.

Читати повністю

Схожі дисертації

0421U103895

Цибуленко Вадим Володимирович

Розробка методу скануючої рідиннофазної епітаксії

0421U103434

Непокупна Тетяна Анатоліївна

Технологія виробництва комбінованих детекторів іонізуючого випромінювання

0421U103151

Косуля Олександр Валерійович

Розробка методик мас-спектрометрії для дослідження діелектричних матриць та напружених нанорозмірних структур

0421U103025

Могиляк Іван Адріанович

Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів.

0521U101588

Сніжко Дмитро Вікторович

Концепція побудови сенсорних систем з використанням нанофотонних та наноелектрохімічних технологій