Быткин С. В. Влияние физико-технологических факторов на прогрессы радиационной деградации кремниевых планарных структур

Объект исследования: Планарные п-р-п, п-р-п-р структуры, изготовленные с применением п-Si(Gе). Цель исследования: Повышение радиационной стойкости полупроводниковых приборов иях концентрационной поляризации. Методы исследования и аппаратура: Емкостная спектроскопия, статистический анализ. Теоретические результаты и новизна: Показана возможность использования п-Si(Gе) и РТП для повышения радиационной стойкости. Практические результаты и новизна: Предложена технология радиационно стойких ИС и тиристоров. Предмет и степень внедрения: Использование при разработке технологии ИС для спецприменения. Эффективность внедрения: Позволяет уменьшить энергозатраты на обессоливание, увеличить степень концентрирования. Сфера (область) использования: Технология радиационно стойких ИС и дискретных п/п приборов.