Пащенко А. Г. Разработка математической модели для расчета полупроводниковых квантоворазмерных инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs с учетом экситонных эффектов

Объект исследования: Полупроводниковые квантоворазмерные инжекционные лазеры на основе GaAs/AlGaAs. Цель исследования: Математическая модель квантоворазмерной структуры, которая учитывает влияние излучающих переходов на процесс лазерной генерации. Методы исследования и аппаратура: Вычислительный эксперимент на ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Предложенная математическая модель инжекционного полупроводникового квантоворазмерного лазера с учетом генерации на излучающих экситонных переходах разработана на основе скоростных уровней. Получены выходные храктеристики экситонной лазерной генерации. Практические результаты и новизна: Физически обоснована стабильность экситонных лазерных уровней в квантоворазмерной структуре с квантовыми ямами произвольной глубины и ширины. Предмет и степень внедрения: Математическая модель и пакет прикладных программ. Сфера (область) использования: Математическое моделирование физических процессов в полупроводниковых лазерах и лазерных системах.