Галкин С. . Получение и исследование оптических и сцинтилляционных кристаллов соединений типа А2В6

Объект исследования: Полупроводниковые соединения типа А2В6, в частности, селенид цинка, сульфид кадмия и телурид цинка, которые используются в устройствах ИК-оптики и сцинтилляционной технике. Цель исследования: Разработка способов получения оптических и сцинтилляционных кристаллов типа А2В6 с применением новых данных, полученных при изучении их физико-химических свойств. Методы исследования и аппаратура: Термодинамический, рентгенфлуоресцентный, рентгенофазовый, спектральный анализ, Спектрофотометры СФ-4, СФ-46, КСВУ-23, рентгеновские излучатели "РЕИС", "ИРИ". Теоретические результаты и новизна: Наличие двух конкурирующих процессов, влияющих на распределение теллура вдоль кристаллов ZnSe(Te). Практические результаты и новизна: В результате проведенных исследований достигнута возможность целенаправленного получения "быстрых" или "медленных" сцинтилляторов ZnSe(Te), что позволяет изготавливать детекторы для дозиметров, спектрометров, томографов, способных работать в режиме реального времени. Предмет и степень внедрения: Внедрена методика подготовки шихты для выращивания кристаллов ZnSe(Te). Эффективность внедрения: Повысилась воспроизводимость технологии (получения оцинтилляционных кристаллов ZnSe(Te). Сфера (область) использования: Материаловедение веществ оптического и радиационного приборостроения.