Пятницкий М. Ю. Исследование взаимодействия висмута с поверхностью кремния

Объект исследования: Субмонослойные пленки Bi на Si /001/. Цель исследования: Получить данные о механизме формирования пленок Bi на Si/001/, о влиянии висмуту на электронную структуру и как следствие на химическую активность Si/001/. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия, термодесорбционная масспектро метрия, Оже-спектроскопия, ионизационная спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Спектрометрия. Практические результаты и новизна: Определен механизм формирования пленок Bi на Si/9001/ и влияние висмута на окисление поверхности Si/001/. Предмет и степень внедрения: Контрольное формирование сверхтонких слоев оксидов кремния у микроэлектронной технологии. Эффективность внедрения: С целью повышения степени интеграции интегральных схем. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микроэлектроника.