Барабанов О. В. Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U001554

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-05-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Дисертація присвячена розробці квантово-механічної теорії спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках за участю локалізованих електронних пар. Запропонована теорія побудована на основі рівняння руху для оператора густини електронної пари і застосована для опису спін-залежної рекомбінації за механізмом Каплана-Соломона-Мотта та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Для обох механізмів досліджені положення та форма резонансних піків нерівноважної провідності. В рамках цього підходу в теорію спін-залежної рекомбінації включено надтонку взаємодію спінів локалізованих електронів та ядер, які оточують електрон. Це дозволяє використати її для анализу реальних спектрів магнітного резонансу, які зареєстровані шляхом вимірювання провідності зразка (електрично-детектований магнітний резонанс, ЕДМР). В дисертації сформульовані характрені риси існуючих механізмів спін-залежної рекомбінації через локалізовані електронні пари, які дозволяють по експериментальним даним віддати перевагу одному механізму.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах