Крилюк С. Г. Люмінесцентні характеристики короткоперіодних квантово-розмірних надграток GaAs/AlAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U001684

Облікова картка дисертації

0499U001684.pdf

Здобувач

Крилюк Сергій Георгійович

Спеціальність

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

18-06-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Запропонована умова збереження прямозонності надграток GaAs/AlAs з надтонкими шарами. Виявлений механізм поляризації екситонної фотолюмінесценції, зумовлений коругованістю гетеромеж. Досліджені особливості електрон-фононної взаємодії в квазіпрямозонних надгратках. В надгратках з різною структурою забороненої зони ідентифіковані типи екситонів та встановлені особливості їх рекомбінації в залежності від товщини квантових шарів.

Читати повністю

Керівник роботи

Корбутяк Дмитро Васильович

Офіційні опоненти

Блонський Іван Васильович
Савчук Андрій Йосипович
Ковалюк Захар Дмитрович

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах