Корчак Ю. М. Вплив координаційного оточення іону Me2+ (Me = Cu, Co) на оптико-фізичні властивості кристалів ряду A2MeX4.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U001969

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-06-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Об’єкт дослідження: Кристали типу [NHn(CmH2m+1)4-n]2МеХ4 (де Me = Cu, Co; X = Cl, Br). Мета дослідження: експериментальне встановлення кореляції між структурою координаційного оточення іону Me2+ і властивостями фаз у кристалах. Методи дослідження: спектроскопічні, діелектричні, поляризаційно-оптичні, дилатометричні. Теоретичні і практичні результати, новизна: Вивчено термохромні властивості ряду кристалів і вплив на них іонізуючого випромінювання. На основі цього запропоновано використовувати сполуку [(C2H5)2NH2]2CuCl4 в ролі чутливого елемента давача іонізуючого випромінювання. Ступінь впровадження: Результати використані у Львівському державному університеті ім. Івана Франка при спектроскопічних дослідженнях нових кристалічних матеріалів. Сфера впровадження: термографія і дозиметрія.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах